KIOXIA和西部数据成功研发第五代BiCS NAND闪存,BiCS5 3D 堆叠达112 层、速度加快50%

KIOXIA 和WD这两家在NAND闪存芯片相互合作的厂商,近日正式宣布成功研发第五代BiCS 系列NAND 闪存芯片。BiCS5 不仅在3D 堆叠层数达到112 层,I/O 频宽也有所改良,相较前一世代BiCS4,部分测试项目效能增进达50%。

如果读者不熟悉KIOXIA 是何许人也?其实就是过去的Toshiba Memory 易名而来,仍旧专注于非挥发性内存的研发与生产工作。在NAND 型内存领域相互合作的KIOXIA 和WD 2 家公司,均于近日正式宣布完成第五代BiCS(Bit Cost Scalable)的研发。

据悉,BiCS5 将3D 堆叠层数从上一代BiCS4 的96 层提升至112 层,KIOXIA 表示单位面积容量提升20%(WD 所提供数据为单一晶圆容量提升50%),2020 上半年初期样品将采用TLC 储存形式,单一颗粒容量为512Gbit,未来预计将同步提供TLC 和QLC 储存形式产品,单一颗粒最高容量将达1Gb 和1.33Gb。

KIOXIA 和 WD 合作宣布已开发完成第五世代BiCS NAND 型闪存芯片颗粒,BiCS5 堆叠层数将达112 层,也会提供TLC 以及 QLC 纪录形式的产品。

BiCS5 内部结构把逻辑电路摆在资料储存cell 的下方,称为CuA(Circuit under Array),内部plane 数量预计将有所提升,于使用Toggle 模式的情形下,目前官方给予的传输速度数据为BiCS4 的1.5 倍,也就是提升50% 资料吞吐量,预计搭载至新一代PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 会有不错的表现。

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